ECRI Microelectronics

Тонкая пленка

Тонкая пленка

Высокоточные и надежные тонкопленочные изделия

ECRIM имеет тонкопленочную гибридную интегральную схему через производственную линию национальной армии. Он также имеет передовое оборудование для производства магнитной напыленной пленки для магнетрона, высокоточную лазерную резистивную машину, литографическую машину, плазменную травильную машину, сварочную машину для проволочной сварки золотом и так далее. На основе тонкопленочного процесса он разрабатывает и разрабатывает тонкопленочные технологические продукты и гибридные интегральные схемы обработки сигналов. За последние 40 лет ECRIM разработала большое количество высокоточных и высококачественных тонкопленочных технологий и схемных продуктов для поддержки национальных ключевых инженерных проектов. Основными продуктами являются различные сети защиты от тонкой пленки, микроволновый субстрат, схема обработки высокоточных сигналов, гибридная интегральная схема с высокой плотностью и так далее.

high-accuracy-and-reliable-thin-film-productshigh-accuracy-and-reliable-thin-film-products-1

Продукт тонкой пленки
  • Точное сопротивление тонкой пленке: точность: ± 0,1% ~ ± 0,02%
  • Температурный коэффициент: ≤ ± 25 ppm / ℃
  • Тонкопленочная керамическая металлизация и СВЧ-подложка:
  • Основной материал: оксид алюминия, нитрид алюминия, кварц и т. Д.
  • Точность: точность линии ± 2,5 мкм, минимальная ширина линии и расстояние 20 мкм
  • Диапазон частот: DC ~ 110G
Тонкий аттенюатор пленки: высокая частота до 26 ГГц, низкая стоячая волна, высокая точность затухания
hybrid-integrated-signal-circuit-1hybrid-integrated-signal-circuit-1
hybrid-integrated-signal-circuit-3hybrid-integrated-signal-circuit-4

Гибридная интегральная сигнальная схема

hybrid-integrated-signal-circuit-5

Сервопривод датчика: предусилитель, преобразователь температуры, усилитель заряда, акселерометр MEMS и гироскоп MEMS.

  • Схема изоляции: изоляция сигнала или изоляция источника питания, усилитель изоляции
  • Прецизионный опорный источник: небольшое напряжение, опорный ток, I / F
  • Фотоэлектрическая схема: гибридное оптоволоконное фотоэлектрическое преобразование, модуль передачи
  • Микроволновая схема: каналы P / L / C / S / X-диапазона, усилитель средней мощности и малой мощности
  • Пользовательская схема: все виды высокоточного преобразования сигнала, схема привода, выделенная миниатюризация схемы
Качество продукции соответствует требованиям оценки качества и надежности, указанным в GJB2438A-2002, а наивысший уровень качества достигает аэрокосмической марки (класс K).

Микроволновые компоненты, продукты схем и технология миниатюризации

--------- ECRIM
На основе тонкопленочной технологии подразделение ECRIM, в основном, разрабатывает и разрабатывает высокопроизводительные пленочные пассивные компоненты, в том числе микрополосковый фильтр, делитель мощности, аттенюатор, микроволновый субстрат и т. Д .; Активные модули включают L, S, C, x -полосный гибридный встроенный малошумящий усилитель, микшер, генератор, усилитель мощности, радиочастотный канал, фильтр LC, генератор гармоник и другие продукты. Мы также настраиваем компоненты и компоненты для клиентов. Продукты широко используются в системах беспроводной связи, навигации, радиолокации и других аэрокосмических, авиационных, наземных системах. Он имеет производственную линию микроволновых субстратов емкостью 250 000 квадратных дюймов и 30 000 высококачественных гибридных интегральных микросхем.

Технология тонкой пленки благодаря высокоточному производственному процессу и высокостабильным микроволновым характеристикам имеет очевидные преимущества перед PCB и другими процессами в области радиочастот. Он имеет тонкие линии, высокую интеграцию и хорошую теплоотдачу. Он может создавать схемы высокой плотности мощности, особенно в воздушно-десантных, снайперских, спутниковых и некоторых высокопроизводительных радиочастотных системах. Его особенности небольшого размера, малый вес и высокая надежность более заметны.

1. Технология и продукты тонкой пленки
Продукты тонкой пленки характеризуются высокой точностью, высокой плотностью, высокой частотой и высокой надежностью, которые широко используются в областях гибридной интегральной микросхемы, СВЧ-устройства, фотоэлектрическая связь, датчик, MCM, LED и т. Д. Типичные продукты включают микроволновый субстрат, микрополосковый фильтр, аттенюатор, прецизионное сопротивление тонкой пленки (сеть) и т. Д.
fig-1-typical-thin-film-circuit-structure

1.1. Пленка СВЧ-подложки
  • обзор
Основным материалом матрицы пленочного микроволнового субстрата является керамика из оксида алюминия. Мы можем предоставить клиентам индивидуальные услуги, такие как нитрида алюминия базы и кварца базовой микроволновой обработки опорной плиты.
  • Описание процесса

Film system

Typical floor resistance

50-75-100Ω/□

Typical thickness of transition layer

1000~3000Å

Surface metal thickness

3~8μm

Lithography

Resolution ratio

0.8μm

Registration accuracy

±1μm

Double exposure, thick adhesive exposure

Scribing

Minimum cut size

0.5mm×0.5mm

Dimensional accuracy

±50μm

Unit alignment accuracy

±5μm

Process capability

The 2″×2″ substrate can produce 800 pieces/week



 Внешний вид продукта

thin-film-microwave-substrate-product-appearancethin-film-microwave-substrate-product-appearance-1

1.2 Превосходное сопротивление тонкой пленки и сеть
  • обзор
Прецизионное тонкопленочное сопротивление (сеть сопротивления) - это тонкопленочное сопротивление чипа (сеть сопротивления) с высокой точностью отслеживания сопротивления и небольшой объем. Он обладает преимуществами высокой точности значения сопротивления, низким температурным коэффициентом сопротивления, низким уровнем шума и хорошей долговременной стабильностью. Он подходит для полетов аэрокосмической, авиационной и имплантации медицинских устройств для людей. Точность может составлять до 0,01%, коэффициент отслеживания температуры до 0,02% и произвольные значения сопротивления могут быть настроены в соответствии с требованиями заказчика, а упаковка может быть в виде наклейки на чип-столе, керамической упаковки, упаковки и т. Д. ,
  • Техническая спецификация сети сопротивления и сопротивления




precision resistance

Resistance materials

Nickel chrome

Temperature coefficient TCR(ppm/℃):±25--±5

Tantalum nitride

Temperature coefficient TCR(ppm/℃):-100---50

Substrate materials

glass ceramics/silicon slice/aluminum oxide/aluminum nitride

Accuracy

±0.1% --  ±0.02%

Passivation layer structure

SiO2+Si3N4、SiO2

Size

0404、0603、0805、1206

Resistance range

10Ω—1MΩ

Power

25 mW–100 mW

Operating temperature range

-65℃--125℃


Precision resistance network

Accuracy

±0.1% --  ±0.02%

Relative accuracy

±0.02%

Temperature tracking coefficient accuracy

±0.02%--±0.05%

Size

Design according to the detailed drawing

Packaging form

We can use the chip table sticker, ceramic package and packaging as the customers demand.

Temperature coefficient

±10ppm

Operating temperature range

-65℃--125℃

Antistatic capacity

1500V-2000V



Внешний вид продукта

thin-film-precision-resistance-and-network-product-appearance


1.3 Емкость тонкопленочного чипа
  • обзор
Тонкопленочные чип-конденсаторы подходят для высокочастотных, микроволновых и миллиметровых волн. Соответствующая частота: 100 МГц ~ 100 ГГц, емкость: 50-4300 пикселей. Pt / Au, подходит для сварки.
Основные технические показатели
Таблица 2 Основные технологические показатели

Size:W×L

10×10mils to 90×90mils

(0.25×0.25mm to 2.25×2.25mm)

thickness:t

6mils±1mil&10mils±1mil

(0.150mm±0.025mm&0.250mm±0.025mm)

Electrode

Ti/Pt/Au  Ti/Ni/Au

The rated voltage (RWV)

50V for t=6mils(0.150mm)

100V for t=10mils(0.250mm)

Capacitance

50pF to 1000pF(nominal@+25℃ & 1kHz)

Capacity tolerance

M=±20%

Z=-20%/+80%

V=-0%/+100%

Loss Coefficient(DF)

<2.5%(@+25℃ & 1kHz)

Insulation resistance(IR)

>1010Ω

Dielectricbreakdown voltage(DWV)

RWV×2.5(minimum DWV @+25℃)


Типичный чертеж внешнего вида продукта

typical-product-appearance-drawing

1.4-дюймовый аттенюатор пленки
  • обзор
Аттенюатор пленки имеет низкие паразитные параметры и высокую частоту использования до 18 ГГц. Влагостойкая, образующая самопассивирующую защитную пленку; Подходит для склеивания золотой проволоки. Широко используется в радиоволновой микроволновой волновой связи, оптической связи и других областях.

В настоящее время мы разработали 6 рядов затухающих листов с более чем 100 разновидностями. Ниже приведен пример аттенюатора AT150504-X:
  • Основные технические показатели
Таблица 3 Основные технические показатели

applicable frequency

characteristic impedance

standing wave

operating temperature

Size

Power

DC~18GHz

50±1Ω

≤1.2

-55~125℃

15.8*5*0.4

1



Таблица 4 Точность затухания

Attenuation

Working frequency

Attenuation accuracy

1~10dB

20dB

30dB

40dB

50dB

60dB

DC~18GHz

±0.3dB

±0.5dB

±0.5dB

±0.7dB

±1dB

±1dB


Затухание можно отрегулировать в соответствии с требованиями заказчика.
  • Типичный чертеж внешнего вида продукта
typical-product-appearance-drawing-2

1.5 Коаксиальный аттенюатор
  • Overview
Основные показатели этой серии коаксиального фиксированного аттенюатора относятся к серии MINI компании bw-s1w2 +. При частоте постоянного тока ~ 18 ГГц и максимальной входной мощности 2 Вт он имеет следующие характеристики: широкая рабочая полоса частот, коэффициент низкой стоячей волны, плоское затухание, сильная импульсная устойчивость и сопротивление горения.
  • Схематическая схема
schematic-circuit-diagram
  • Основные технические показатели
Таблица 5 Основные технические показатели (пример 1dB)

the-key-technical-indexes

Таблица 6 Типичный параметр
table-6-typical-parameter

После тестирования и сравнения показатель точности затухания этой серии аттенюаторов аналогичен показателю продукции MINI, а коэффициент стоячей волны лучше, чем у продуктов MINI.
  • Размер
table-6-typical-size
  • Типичный чертеж внешнего вида продукта
typical-product-appearance-drawing-3


Bm-w2c1, bm-w2c2, bm-w2c3, bm-w2c4, bm-w2c5, bm-w2c6, bm-w2c7, bm-w2c8, bm-w2c9 и bm-w2c10 обозначаются соответственно по мощности и затуханию.

1.6 Руководство по проектированию
Выбор керамических подложек
Таблица 7 Выбор основных параметров керамической подложки

Substrate parameters

Influence

Instructions

Thickness

upper frequency limit

Different frequency choose different thickness

minimum-value aperture

50um

Dielectric constant

line width

It depends on the device performance

Surface roughness

Width of thinnest line

line width: 10um

Dissipation factor

Insertion loss

General requirements loss is less than 0.0005

Thermal conductivity

Power dissipation

Aluminum nitride/beryllium oxide for high power applications


Правила проектирования тонкопленочных схем
Таблица 8 Общие контрольные индикаторы для правил проектирования тонкопленочных схем

project

meaning

Typical values

Special requirements

Size of substrates and chips

2 inches substrates,Usable area

46×46

48×48

Toleranceof substrate thickness

±0.050mm

±0.020mm

Toleranceof chips size

±0.050mm

(+0,-0.050mm)

Scribing and its accuracy

Number of available cutting

0.15mm,0.20mm

0.10mm

cutting accuracy

±0.050mm


The conduction band

Minimum line width

0.018mm

0.010mm

The smallest seam width

0.018mm

0.010mm

A typical distance from the edge of the chip

0.050mm

0.000mm

The line drawing of special guide should be narrower than the designed size

0.004mm


resistance

Minimum line width

0.050mm

0.008mm

Minimum line length

0.050mm


Minimum blank distance between the resistance edge and the conductor

0.025mm

0.000mm

Minimum contact distance between resistance and conductor

0.050mm


The minimum distance of the resistance film from the chip edge

0.050mm


Metal hole

The smallest aperture

50um


The minimum distance from the edge of the hole to the edge of the figure

80um


Minimum spacing

100um


The minimum distance from the hole center to the edge of the chip

75um



2 Миниатюризация радиочастотного канала
Технология миниатюризации микроволновой гибридной интегральной схемы в тонкопленочном подразделении фокусируется на локальном проектировании, модуляции, миниатюризации, структурной упаковке, улучшении согласованности и надежности. Оригинальные радиочастотные каналы миниатюризированы тонкопленочной технологией, то есть некоторые схемы в высокочастотном канале обрабатываются с высокой точностью и лучшей надежностью благодаря тонкопленочной технологии, которая инкапсулирована в защитный металлический воздухонепроницаемый корпус с хорошая теплоотдача методом сборки с высокой плотностью.

Ниже приведен пример радиочастотного канала l-диапазона и его технологии миниатюризации. Этот тип индекса продукта тесно связан с антенным индексом, обработкой данных и другими системными требованиями и в основном развивается в сотрудничестве с пользователями.

2.1 Техническая характеристика
Схема канала Rf
radio-frequency-channel-miniaturization-products
Радиочастотная антенная решетка разделена на канал GNSS и канал XXX. Канал GNSS представляет собой один канал, разработанный с существующими зрелыми схемами. Радиочастотный канал XXX в основном состоит из фильтра, малошумящего усилителя, преобразователя вверх, усилителя, модуля синхронизации, источника частоты и источника питания DC_DC.

Радиочастотный (РЧ) канал для согласования фаз, согласованность, изоляция, стабильность фазы усиления имеют более высокие требования, поэтому миниатюризация тонкопленочного гибридного интегрированного процесса о том, как отправлять и получать проходы, каждый канал с помощью последовательной разделительной камеры инкапсулирующей структуры, канальный модуль, соответственно, полное усиление радиочастотного сигнала и преобразование частоты и другие функции для достижения высокого спроса.
Таблица 9 Электрические характеристики радиочастотного канала

characteristics

symbol

Conditions

RF input frequency:xxxx.5MHz±10MHz;

RF input power:-130dBm~-40dBm

LO input frequency:xxxx MHz;

LO input power:0dBm

Limit value

Unit

Min

Max

Channel gain

G


45

55

dB

Gain consistency

ΔG


-

2

dB

Image rejection

S1


65

-

dBc

Harmonic suppression

H1


65

-

dBc

Working current

I


0.35

0.4

A

Noise Figure

NF



2.5


RF port standing wave ratio

VSWR


-

2

-

Phase consistency

ΔPh

TA=25℃

-5

5



2.2 Технология миниатюризации радиочастотного канала
radio-frequency-channel-miniaturization-technology-1

radio-frequency-channel-miniaturization-technology-2
  • Выбор компонентов
Для гибридной интеграции выбираются составные компоненты микросхемы или микромаркировки для улучшения степени интеграции и эффективного уменьшения площади схемы.
  • Изготовление тонкой пленки
Требования к окружающей среде для радиочастотных каналов относительно высоки, и базовая пластина требуется для обеспечения диэлектрической постоянной при высокой теплопроводности. Выбор материалов и их изготовление изучаются в соответствии с практическими требованиями.

(1) Выбор субстрата
Для подложки обычно выбирают оксид алюминия (AL2O3), который имеет преимущества большой диэлектрической проницаемости, малых диэлектрических потерь, большого сопротивления изоляции, высокой механической прочности и близко к коэффициенту теплового расширения оболочки упаковки. Нитрид алюминия (AlN) , является предпочтительным на опорную плиту устройства питания, с диэлектрической проницаемостью 8,7 и теплопроводностью 200 Вт / м • К. Керамические подложки обладают многими превосходными свойствами, и они играют более важную роль, чем PCB в области микроволновой связи. С высокой диэлектрической проницаемостью тонкопленочной подложки может сжиматься один и тот же электрический СВЧ-сигнал в средней пластине, а ширина сети ослабления сопротивления также может быть непосредственно сгенерирована на тонкопленочной подложке, что значительно уменьшает площадь исходной схемы и улучшает точность затухания в то же время, существующий модуль, согласованность, надежность, ремонтопригодность, масштабируемость и т. д., имеют определенный подъем.

(2) Выбор проводящих металлических материалов
Части радиочастотного канала необходимо собирать с помощью сварочного процесса. Металл на подложке должен обладать хорошей способностью сварки, способностью сварки и сопротивлением и большим током, чтобы гарантировать прочность и надежность сварки. Кроме того, радиочастотная схема имеет требования к импедансу полосы и глубине скин-сигнала радиочастотного сигнала, поэтому она использует метод позолоты линии микрополосковой линии для удовлетворения требований радиочастотного сигнала.

(3) Конструкция проводов и сквозных отверстий
Ключ к высокой производительности и повторяемости в микроволновых структурах определяется геометрией металла, а характеристический импеданс линии передачи определяется шириной линии. Весь радиочастотный канал имеет небольшой объем, высокую плотность проводки и небольшую ширину провода, поэтому требования к точности очень высоки. Металлизированные сквозные отверстия обычно используются для подключения радиочастотных сигналов к инкапсулированным областям, что требует лучшей механической прочности и более низкого электрического сопротивления.

fig-9
Фиг. 9

fig-10
Фиг. 10

  • Микросборочная техника
micro-assembly-technique
Одноканальный модуль использует сварочную технологию для сварки подложки внутри полости, чтобы обеспечить хорошее заземление. Интерфейсы ввода и вывода, такие как RF, TLO, RLO, IF, + VCC и -vcc, соответственно связаны с антенной и подложкой на уровне системы.

Контролируется производительность и надежность схемы, контролируются параметры процесса межсоединений, такие как высокая согласованность и надежность связи каналов высокочастотного канала. Используя электромагнитную модель, параметры преобразуются в эквивалентную схему, которая участвует в симуляционном анализе всей схемы и направляет проектирование и испытание.

  • Технология инкапсуляции микроволновой полости
Для упаковки микроволновой схемы требуются следующие четыре основные функции: механическая поддержка и защита окружающей среды, путь напряжения и тока, сигнал радиочастотного канала, вход и выход управляющего сигнала и путь рассеивания тепла.
Учитывая соответствие коэффициента теплового расширения материала, упаковочный материал должен иметь высокую теплопроводность. Основными требованиями к упаковочным материалам являются высокий модуль упругости, низкий коэффициент теплового расширения, хорошая отделка и хорошая плоскость.
Плотность сборки компонентов высокочастотного канала очень высока, что приводит к высокому нагреву на единицу площади. Несмотря на то, что большая часть температуры раздела микроволновых устройств может достигать 170 ℃, но неправильный выбор упаковочного материала, работа с тепловыми компонентами не может быстро экспортироваться, компоненты внутри и за пределами температурного градиента слишком велики, образуются во внутренней слишком горячей или слишком горячей , ухудшение характеристик компонентов или из-за большого повреждения термическим напряжением и создания схемы.
ECRIM долгое время занимался исследованиями и разработками металлического корпуса. У них самая большая военная линия по производству металлических упаковочных оболочек в Китае и имеют богатый опыт в проектировании и производстве металлических корпусов. Он имеет производственное оборудование и технические возможности, связанные с дизайном оболочки, механической обработкой, подготовкой стеклянных шариков, герметизацией уплотнения, пайкой, гальваникой, проверкой надежности и т. Д., Что обеспечивает надежную гарантию для конструкции структуры радиочастотного канала. На рисунке 11 представлена ​​трехмерная структурная диаграмма структуры радиочастотного компонента Ku-диапазона, предназначенная для проекта.
Пакет модулей радиочастотного канала предназначен для использования в технологиях герметичной упаковки, которые направлены на изоляцию окружающей среды, предотвращение эрозии загрязняющих веществ и адаптацию внутренних устройств к низкому давлению и другим условиям работы. В то же время отвечайте требованиям электромагнитной совместимости, таким как экранирование.

fig-11
Фиг. 11

fig-12
Фиг. 12

3Прочие продукты микроволновой микросхемы
3.1 Микроволновый усилитель мощности
В качестве конечной ступени передатчика усилитель мощности усиливает модулированный сигнал полосы частот до требуемой мощности, обеспечивая получение сигналов достаточного уровня в пределах зоны обслуживания. В качестве примеров используется рентгеновский усилитель x-диапазона и усилитель непрерывной волны s-диапазона, разработанные 43 в качестве примеров (фиг.12), описаны основной уровень процесса и уровень индекса продукта. Микроволновые усилители могут быть отдельно предложенными индикаторами, независимой модульной конструкцией, мы можем предоставить пользовательские индикаторы на основе дизайна и производственного пакета.
После принятия тонкопленочного процесса (готовые детали принимают голые чипы) объем значительно уменьшается, например, объем может быть изменен с 20 х 35 х 10 мм3 до 10 х 20 х 10 мм3.
Таблица 10. Электрические характеристики импульсного усилителя мощности x-диапазона

characteristics

symbol

Condition

Operating frequency range:f= x.1GHz±0.5 GHz;

The input power:7dBm;Work pulse width:1mS

Limit value

Unit

Min

Max

Output power

Pout


33

-

dBm

duty cycle



-

25%




Таблица 11 Электрические характеристики усилителя мощности непрерывной волны S-диапазона

characteristics

symbol

Condition

Operating frequency range:f= x.2GHz±0.1 GHz;The input power:10±2dBm

Limit value

Unit

Min

Max

Output power

Pout


37

-

dBm

Gain flatness

ΔG


-

2

dB

Harmonic suppression

H1


65

-

dBc

spurious suppression

S1-1


65

-

dBc

Working current

I


-

2.0

A



3.2 малошумящий усилитель
Усилитель с низким уровнем шума может быть настроен для удовлетворения потребностей пользователей, обеспечивая выпуск готовых модулей для металлической оболочки, фиксацию винтов. Размер малошумящих усилителей B1, B2 и B3 составляет около 15 мм x 15 мм без фильтра.
Таблица 12 Технические индикаторы

features

Limit value

Unit

Min

Max

gain

26

30

dB

Noise factor (room temperature)

0.8

1.2

dB

Port a standing wave

1

2


Working current

60

m



4 Особенности микроволновых продуктов с использованием технологии тонкой пленки

4.1 Высокая надежность
Благодаря применению тонкопленочных технологий на подложке было создано прямое количество резистивных устройств в исходной схеме, что уменьшило количество сварных компонентов и улучшило точность затухания. В то же время, когда опорная плита канального модуля непосредственно приварена к полости, механическая поддержка и защита окружающей среды усиливаются, производительность радиочастотного заземления значительно улучшается, а индекс надежности модуля полностью расширен, что подходит для массового производства. Производство в стандартной производственной линии национальной армии, уровень качества G, H выше.

4.2. Сильная работоспособность
Применяется модульная конструкция, а модуль канала и уровень уровня системы могут быть разделены для испытания на сборку, что повышает эффективность испытаний. Из-за эффективной декомпозиции контрольных индикаторов производственный тест может быть разобран в независимые группы одновременно.

4.3 Хорошая защита от помех
В результате модульной конструкции модуль канала полностью закрыт в замкнутой независимой полости, которая отличается от оригинальной компоновки с несколькими ламинарными полостями. Поэтому он может лучше защищать перекрестные помехи СВЧ-сигналов и сигналов питания от других каналов.

4.4 Малый объем
После миниатюризации площадь компонента уменьшается на 1/3 до 1/2, а форма интерфейса более кратка. Передача сигнала между каждым модулем всей машины может быть реализована только путем непосредственного вставки и отсоединения смешанного кабеля. Вот два примера миниатюризированных продуктов.


Фотоэлектрические продукты тонкой пленки
1 Фотоэлектрическая подложка тонкой пленки
  • обзор
Тонкопленочная фотоэлектрическая подложка в основном используется в области оптической связи. Материалом подложки является подложка из нитрида алюминия с высокой теплопроводностью (более 170). Толщина подложки составляет 0,127-2 мм. Многослойная металлическая структура обычно используется в качестве мембранной системы TiPtAu.
  • Основные показатели

The fine line

20μm

Line precision

≤ ±5μm

Hole resistance

≤50 mΩ

Size

≤ ±50μm

Special cutting accuracy

≤ ±50μm


Примечание: качество продукции соответствует требованиям MIL-PRF-38534


Фиг. 16

2 ПИН-фиолетовый оптический детектор
2.1 Обзор
Оптоволоконный детектор Pin-fet является своего рода оптоэлектронным устройством, которое инкапсулирует фотоэлектрический детекторный чип и схему с низким уровнем шума в той же оболочке. Световой сигнал облучается светочувствительной поверхностью детектора. Фотоэлектрический диод производит вход фототока в схему малошумящего усилителя. Схема малошумящего усилителя преобразует сигнал слабого тока в сигнал напряжения, а затем усиливает выход.

2. 2 Особенности продукта
Высокая надежность, высокая чувствительность, широкий динамический диапазон

2.3 Сфера применения
волоконно-оптическая система передачи, гироскоп с оптическим волокном, созданный большой, оптоволоконный датчик

2.4 Модель цепи
Модель схемы следующая:
HPF XXXX X
hpf-xxxx--x

2.5 Различные размеры и фотографии пакетов

type

Type A packaging

TypeB packaging

TypeC packaging

TypeD packaging

category

Metal 14 feet

Metal8 feet

Ceramic 8 feet

size

20.8 mm x12.7 mm x4.67 mm

13.5 mm x12.7 mm x4.67 mm

12.7mm x7.9mmx5.3mm




photo

The leg defines the contrast

WTD, 44 institute, worldcom, podan photoelectric

Tong wei tong, pu Dan photoelectricity

Metal 8 pin

Same as WTD



Часто используемое перекрестное сопротивление составляет 40K, 200K и 400K. Продукты с различным перекрестным сопротивлением, пропускной способностью, выходным напряжением и потребностями хвостового волокна могут быть спроектированы в соответствии с требованиями пользователей.

2.6 Показатели эффективности (пакет A, B, C, D)
Максимальный рейтинг

ParametersSymbolMaximum rating Unit

positive-supplyVcc      +5.5         V

Negative supplyVee      -5.5          V

Operating temperatureTamb     -55~+85     ℃

Storage temperatureTstg      -55~+85    ℃


Рекомендуемые условия работы

Parameters  Symbol  Maximum rating Unit

positive-supplyVcc        +5      V

Negative supplyVee        -5      V


Фотоэлектрические свойства
Vcc = + 5В, Vss = -5V
performance-indicators-specification-1
performance-indicators-specification-2



1. Быть профессионалом в области микроэлектроники с 50-летней историей.
2. Лидер технологии, 1500 + сотрудники 50% инженерной команды.
3. Продвигайте возможности производства, полные объекты в доме (HTCC / LTCC / Толстая пленка / тонкая пленка / AlN / DBC / Пакеты / Печи)
4. Высокое качество, Китайский национальный гибридный центр микроэлектроники в ECRIM.
5. Вертикальная интеграция от сырья, компонентов, устройств, модулей, оборудования к системной интеграции.
6. Конкурентоспособная цена
7. Гибкая поставка, короткое время выполнения
8. Быстрый ответ.
9. Доступна конструкция клиента.